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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供为什么公鸡不能炖汤，公鸡汤和母鸡汤的区别应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)为什么公鸡不能炖汤，公鸡汤和母鸡汤的区别strong>

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。为什么公鸡不能炖汤，公鸡汤和母鸡汤的区别存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。